硅在导带底部和价带顶部的k空间位置不同时，电子吸收光不能跃过能带。这是因为光的波长＝600nm时，波数k－2u／2大约在10m左右。另一方面，电子波数是倒易品格的12，所以10＂mr左右
这样，光波数比电子波数小3个数量级，又因为动量＝，所以动量守恒不成立。
因此，在硅中利用声子（品格振动的量子）的力量，使得能带间的跃迁成为可能。这就叫做间接跃迁，这样的半导体叫做间接跃迁半导体。
因为间接跃迁对光的吸收能力很差，所以制造太阳能电池需要很厚的材料。另一方面，例如GaAs，其导带底部和价带顶部处于同一波数位置，动量守恒定律成立，价带电子吸收光能够向导带直接跃迁。这就是硅和钙吸收光强度不同的原因。
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